Samsung anuncia productos de memoria de próxima generación en su Memory Tech Day

Un año más, Samsung Electronics ha celebrado el Memory Tech Day, un evento al que han asistido unos 600 clientes, partners y expertos del sector, y que ha servido de plataforma para que los ejecutivos de Samsung amplíen la visión de la empresa sobre la “Memoria Reimaginada”, exponiendo sus planes a largo plazo para continuar su posicionamiento en tecnología de memoria, las perspectivas sobre las tendencias del mercado y los objetivos de sostenibilidad. La compañía ha presentado innovaciones pioneras en el sector, así como nuevos productos de memoria de próxima generación para aplicaciones, nube, los dispositivos de vanguardia y los vehículos de automoción, como el HBM3E Shinebolt, LPDDR5X CAMM2 y Detachable AutoSSD.

Avances en DRAM y flash NAND

En su discurso de apertura, Jung-Bae Lee, presidente y director del Negocio de Memoria de Samsung Electronics, explicó cómo Samsung superará los retos de la era de la hiperescala a través de la innovación en nuevas estructuras de transistores y materiales. Por ejemplo, Samsung está preparando nuevas estructuras tridimensionales para DRAM de menos de 10 nanómetros (nm), lo que permitirá mayores capacidades en un solo chip que pueden superar los 100 gigabits (Gb). Tras su DRAM de 12 nm, que empezó a producirse en masa en mayo de 2023, Samsung está trabajando en su DRAM de 11 nm de próxima generación, que ofrecerá la mayor densidad del sector.

También se están desarrollando avances en flash NAND que reducirán el tamaño de las celdas y perfeccionarán las técnicas de grabado de los orificios de los canales, con el objetivo de introducir la NAND vertical de 1.000 capas (V-NAND). El desarrollo de la novena generación de V-NAND de Samsung va por buen camino y ofrecerá el mayor número de capas del sector, basado en una estructura de doble pila. De este modo, ha conseguido un chip funcional para la nueva V-NAND y tiene previsto iniciar la producción en masa a principios del año que viene.

“La nueva era de la IA a hiperescala ha llevado a la industria a una encrucijada en la que la innovación y la oportunidad se cruzan, presentando un momento de gran potencial, a pesar de los desafíos que también conlleva”, dijo Lee. “A través de una imaginación sin fin y una perseverancia implacable, continuaremos nuestro liderazgo en el mercado impulsando la innovación y colaborando con clientes y socios para ofrecer soluciones ante cualquier demanda.”

Múltiples novedades

Los sistemas en la nube requieren memoria de alto rendimiento para manejar capacidades de alta capacidad, ancho de banda y almacenamiento virtual. Aprovechando su experiencia en la comercialización de la primera HBM2 de la industria, Samsung ha revelado su DRAM HBM3E de próxima generación, llamada Shinebolt, que impulsará la próxima generación de aplicaciones de IA, mejorando el coste total de propiedad (TCO) y acelerando el entrenamiento y la inferencia de modelos de IA en el centro de datos.

HBM3E cuenta con una velocidad de 9,8 gigabits por segundo (Gbps), lo que significa que puede alcanzar tasas de transferencia superiores a 1,2 terabytes por segundo (TBps). Con el fin de permitir pilas de capas más altas y mejorar las características térmicas, Samsung ha optimizado su tecnología de película no conductora (NCF) para eliminar los huecos entre las capas del chip y maximizar la conductividad térmica.

Otros productos destacados en el evento son la DRAM DDR5 de 32 Gb, la primera GDDR7 de 32 Gbps de la industria y la PBSSD a escala de petabytes, que ofrece un importante impulso a las capacidades de almacenamiento para aplicaciones de servidor.

Por otra parte, Samsung presentó una gama de soluciones de memoria que admiten factores de forma de alto rendimiento, alta capacidad, bajo consumo y pequeño tamaño en el borde. Así, además del primer CAMM2 LPDDR5X a 7,5 Gbps del sector, la empresa también presentó su DRAM LPDDR5X de 9,6 Gbps, LLW DRAM especializada para IA en dispositivos, almacenamiento flash universal (UFS) de nueva generación y la SSD BM9C1 de célula de cuatro niveles (QLC) de alta capacidad para PC.

Con los avances en las soluciones de conducción autónoma, también está aumentando la demanda de DRAM y SSD compartidas de gran ancho de banda y capacidad, que comparten datos con varios procesadores (SoC).  Samsung presentó su AutoSSD desmontable, que permite el acceso a los datos desde una única SSD a múltiples SoC a través del almacenamiento virtual. AutoSSD admite una velocidad de lectura secuencial de hasta 6.500 megabytes por segundo (MBps) con 4 TB de capacidad. Samsung también presentó soluciones de memoria para automoción como GDDR7 de gran ancho de banda y LPDDR5X con un tamaño de encapsulado más compacto.

Como parte de su compromiso para minimizar el impacto medioambiental, Samsung ha destacado una serie de innovaciones en sus operaciones de semiconductores que contribuirán a aumentar la eficiencia energética para clientes y consumidores. La empresa planea asegurar tecnologías de memoria de consumo que puedan disminuir el consumo de energía en centros de datos, PC y dispositivos móviles, al tiempo que utiliza materiales reciclados en productos SSD portátiles para reducir su huella de carbono. Las soluciones de próxima generación de Samsung, como la PBSSD, también ayudarán a reducir el consumo de energía de los sistemas de servidores, ya que maximizan la eficiencia del espacio y la capacidad de los bastidores.